文/ Kim Boram

首尔，5月2日(韩联社)——韩国芯片制造商SK海力士公司首席执行官郭鲁中周四公布了在第三季度大规模生产最新的12层高带宽内存(HBM)芯片的计划，旨在巩固公司在人工智能(AI)内存市场的领导地位。

他当天在位于首尔东南58公里的利川公司总部举行的记者招待会上表示:“在HBM技术方面，计划从5月份开始提供具有业界最佳性能的12英寸高的HBM3E样品，并从第三季度开始批量生产。”

“在生产方面，2024年的HBM产量已经售罄，而2025年的HBM产量几乎售罄。”

SK海力士HBM产品受到欢迎的原因是，随着ChatGPT等生成型人工智能(AI)等应用的兴起，用于人工智能计算的集成元件HBM芯片受到了越来越多的关注。

三星电子今年3月在业界首次量产了8层的HBM3E芯片，被认为是HBM市场的领跑者，也是美国人工智能芯片巨头英伟达(Nvidia)的主要供应商。

郭社长表示:“公司预测，人工智能技术将从现在的数据中心迅速扩展到智能手机、个人电脑、汽车等更广泛的设备上应用。”预计人工智能应用领域对超快、高容量、低功耗存储器产品的需求将呈现爆发式增长。”

据SK海力士透露，以HBM和大容量DRAM模块为主导的AI内存的销售额预计将从2023年的5%大幅增加到2028年的61%。

郭会长表示，虽然三星电子和美光科技等竞争对手的挑战，但在全球HBM市场的竞争日益激烈的情况下，他有信心赢得竞争。

三星电子上个月表示，为了跟上不断变化的HBM市场趋势，计划在第二季度内批量生产12英寸的HBM3E芯片。

他表示:“我们的HBM3和HBM3E芯片保持着最高水平的质量竞争力。”他还提到了SK海力士最先开发的大规模回流模压下填充(MR-MUF)封装技术。

“随着12高的HBM3已经在MR-MUF批量生产，我们有信心下一个12高的HBM3E将继续保持最高的质量水平，以满足客户的需求。”

SK海力士为了及时满足AI内存的需求，决定投资5.3万亿韩元(约38.5亿美元)，在韩国新建名为“M15X”的DRAM生产基地，并将于2026年第三季度开始商业化运营。

三星电子还宣布，计划向美国的先进封装制造和研发设施投入近40亿美元，从2028年下半年开始批量生产包括下一代高带宽存储器(HBM)芯片在内的人工智能存储器产品。

郭社长表示:“公司的目标是通过提高成本竞争力实现质的增长，并通过增加附加值产品的销售来提高利润率。”我们计划根据需求的变化，通过灵活的投资反应，提高现金持有水平，继续改善财务健全性。”

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